Datasheet下载- 型号： 3EZ47D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ47D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ47D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ47D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ47D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ47D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ47D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的单齐纳二极管，标称稳压值为47V，功率为3W，DO-41封装，AEC-Q200兼容（汽车级可靠性），带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 电源稳压与过压保护：用于开关电源、DC-DC转换器或线性稳压电路中，作为基准电压源或并联稳压元件，稳定输出电压或钳位瞬态过压（如反激式辅助绕组反馈、LDO参考端）。 - 浪涌/ESD防护：在工业控制、通信接口（如RS-485、CAN总线）或传感器前端，与TVS或限流电阻配合，吸收感应浪涌或静电放电能量，防止后级IC损坏。 - 电压箝位与基准电路：在模拟信号调理、ADC参考电压生成、比较器阈值设定等场景中提供高精度、低温度漂移（典型TC ≈ ±0.06%/°C）的47V基准点。 - 汽车电子系统：凭借AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐电源管理、车身控制模块（BCM）的电压监控及LED驱动过压保护等严苛环境。 该器件具有低动态阻抗、良好长期稳定性及宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C），适合对可靠性要求较高的工业和汽车应用。注意需配合限流电阻使用，避免功耗超标。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 47V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ47D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 35.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 47V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 38 欧姆 |
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