Datasheet下载- 型号： 3EZ43D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ43D5E3/TR12是一款额定功率3W、标称稳压值为43V的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： - 过压保护与箝位电路：在电源输入端或敏感IC接口处，用于吸收瞬态浪涌（如ESD、雷击感应脉冲），将电压钳位在约43V，防止后级器件损坏。 - 精密稳压参考源：配合限流电阻，在低功耗、中等精度场合（如工业传感器信号调理、模拟前端偏置电路）提供稳定基准电压，适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的系统。 - 电源反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为辅助稳压元件，协助设定初级侧控制器的启动/关断阈值。 - 电池管理系统（BMS）电压监测：用于12V/24V/48V系统中对单节或多串锂电池组的过压检测（如43V对应约10–11串Li-ion），触发保护逻辑。 该器件具有较宽工作温度范围（−65°C 至 +175°C）、良好浪涌承受能力（符合IEC 61000-4-5 Level 3），适合工业控制、通信电源、汽车电子（非安全关键部位）及军工配套等对可靠性要求较高的环境。注意：需严格按规格书设计限流电阻，避免超功耗或热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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