Datasheet下载- 型号： 3EZ43D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ43D5/TR12是一款43V、1W表面贴装齐纳二极管（单齐纳），采用DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如ADC参考源、传感器供电、运算放大器偏置）提供稳定43V基准电压，适用于中等精度要求场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电路径中，配合限流电阻构成简单钳位电路，防止瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏后级器件。 3. 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信接口（如RS-485收发器供电轨）或DC-DC转换器反馈环路中，用于吸收反向感性负载释放能量或抑制开关噪声尖峰。 4. LED驱动恒流辅助：在简易恒流源设计中，与三极管或MOSFET配合，利用齐纳击穿特性设定基准电压，间接控制LED电流。 需注意：该器件额定功率为1W，实际应用中应确保功耗不超过降额限值（尤其高温环境），并留有足够电压容差余量。其±5%标称电压公差和典型10Ω动态阻抗适合对成本敏感、非超高精度的工业及消费类电源管理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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