Datasheet下载- 型号： 3EZ43D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ43D2E3/TR8是一款43V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC参考、传感器供电或运放偏置提供稳定43V基准电压；适用于输入波动较大但负载电流较小（≤20mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或MOSFET配合，作为初级钳位器件，防止后级IC（如DC-DC控制器、通信接口芯片）遭受瞬态高压损伤（如浪涌、ESD感应电压）。 3. 电平转换与箝位：在信号链中限制模拟信号或控制信号幅值（如将±60V工业信号箝位至0–43V安全范围），保障MCU GPIO或比较器输入不超限。 4. 反馈环路稳压：用于反激式或Buck-Boost开关电源的光耦反馈侧，稳定次级输出电压采样点电平，提升稳压精度与抗干扰能力。 该器件具有低动态阻抗（Zzt ≈ 100Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ +0.07%/°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业控制、通信电源、汽车电子（非安全关键系统）及仪器仪表等中高可靠性场景。注意：需配合限流电阻使用，并确保功耗不超过1W（建议降额至0.7W长期运行）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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