Datasheet下载- 型号： 3EZ43D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ43D10/TR8是一款齐纳二极管（单管），其标称齐纳电压为43V，额定功率为3W（“3EZ”系列代表3W玻璃封装齐纳管），“D10”表示电压容差为±10%（即38.7V–47.3V），“TR8”指编带卷盘包装。 该器件主要应用于中等功率的电压基准与过压保护场景： - 稳压电路：在电源适配器、工业控制板或传感器供电模块中，为低功耗模拟电路（如运放偏置、ADC参考源）提供稳定基准电压； - 浪涌/过压钳位：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU I/O口、通信接口RS-485收发器）免受瞬态高压（如EFT、感应开关噪声）损害； - 反馈环路：在离线式AC-DC转换器（如反激电源）的次级侧，辅助构建隔离反馈网络，提升输出电压精度与稳定性； - 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组的分压采样电路中，提供可靠参考点，保障电压监测准确性。 需注意：该器件为玻璃钝化封装（DO-41），不具备表面贴装特性，适用于通孔焊接；工作时须保证散热（如PCB铜箔铺铜），避免长时间满负荷运行导致热失效。典型应用环境为工业温度范围（–65°C至+175°C），适合对可靠性要求较高的工控、通信及能源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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