Datasheet下载- 型号： 3EZ43D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ43D10/TR12是一款43V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定43V基准电压，适用于中低功耗系统。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电轨，配合限流电阻构成简单钳位电路，防止瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏后级器件。 3. 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信设备或电源适配器中，用于吸收感性负载关断时产生的反向电动势或雷击感应脉冲。 4. 反馈环路调节：在开关电源（如反激式变换器）的光耦反馈网络中，作为TL431等基准器件的辅助稳压或电压检测点。 5. 测试与校准设备：因参数一致性较好，可用于便携式仪器中的固定电压校验点。 注意：该器件额定功率1W，需确保实际功耗（P = Vz × Iz）不超过降额限值，并考虑散热条件；TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。不适用于高频或大电流场合，亦非TVS二极管，瞬态抑制能力有限，高可靠性应用中建议搭配TVS或压敏电阻协同防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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