Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 4.7V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AA（SMB）封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运算放大器、ADC/DAC 或传感器电路提供稳定 4.7V 基准电压；亦可用于简单线性稳压器的参考端或过压钳位。 2. 过压保护（TVS辅助）：虽非专用TVS器件，但可配合限流电阻用于IC输入/输出端的静电（ESD）或瞬态过压箝位（如微控制器I/O口保护），将电压限制在≈4.7V，防止后级器件损坏。 3. 电源轨监测与反馈：在开关电源（如Buck转换器）的反馈分压网络中，作为精密基准替代方案（需注意温漂和精度等级），或用于欠压/过压检测电路的阈值设定。 4. 模拟电路偏置：为晶体管、运放等提供温度补偿偏置点（需搭配适当热设计），利用其相对稳定的击穿特性。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（典型值约10Ω）、良好长期稳定性及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业控制、通信设备、汽车电子（非安全关键模块）及消费类电源管理场景。使用时需注意功耗（≤3W）、散热条件及反向电流限制，避免持续大电流工作导致参数漂移或失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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