Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7D5/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为4.7V，功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：在低功耗、非精密电源中为IC提供稳定参考电压，如为比较器、ADC基准或小信号电路提供4.7V偏置。 - 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用作简单箝位电路，防止后级敏感器件（如MCU I/O口、传感器）遭受瞬态过压（如ESD或开关噪声）损坏。 - 电平转换与信号限幅：在模拟前端或数字接口中，将信号峰值限制在约4.7V，兼容3.3V/5V逻辑电平，避免输入过载。 - 低成本电源稳压：适用于对精度和温漂要求不高的场合，如电池供电的简易仪表、LED驱动偏置、继电器控制电路等辅助电源支路。 该器件具有较陡的击穿特性与良好的一致性，但未内置温度补偿，故不适用于高精度或宽温域场景。设计时需注意功耗（≤3W）、动态阻抗（典型约10Ω）及反向漏电流（<5µA @ 1V），并确保散热条件满足长期可靠性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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