Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的 4.7V、1W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC 参考源）提供稳定 4.7V 基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的场合。 - 过压保护（钳位）：在电源输入端或敏感IC引脚（如MCU I/O、通信接口）并联使用，将瞬态电压钳位于约4.7V，配合限流电阻抑制ESD或浪涌，常用于工业控制板、消费电子外围电路。 - 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如LDO）或开关电源次级侧反馈网络中，与光耦/分压电阻配合实现输出电压调节与隔离反馈。 - 逻辑电平转换与箝位：在混合电压系统（如3.3V MCU驱动5V外设）中，限制信号摆幅，防止电压超标损坏器件。 该器件具有±5%标称电压容差（4.47–4.94V）、低动态阻抗（典型10Ω @ IZ=20mA）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C），适合工作温度范围-65°C至+175°C的严苛环境，常见于工业自动化、汽车电子（非安全关键模块）、通信设备及仪器仪表中。注意：因属1W功率等级，需确保PCB散热设计合理，避免长期满负荷工作导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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