Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ4.7D2/TR8是一款4.7V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8表示每卷8000只）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中，提供稳定4.7V基准电压，适用于输入波动较小、电流需求≤200mA的场合。 2. 过压保护与箝位：常用于IC输入/输出端口的ESD或瞬态过压防护，将电压箝位于约4.7V，防止后级CMOS器件（如微控制器I/O、运放输入）因浪涌损坏。 3. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如78Lxx系列辅助电路）或开关电源的光耦反馈路径中，作为误差检测基准点。 4. 电平转换与阈值设定：在比较器电路中设定4.7V触发电平，用于电池欠压检测（如锂电池保护板）、电源上电复位（POR）等。 需注意：该器件为通用型齐纳管，温度系数约±5mV/°C（典型），精度为±5%（标称4.7V），不适用于高精度或高温环境；设计时应配合限流电阻，并确保功耗不超过1W。因其停产已久（Microsemi已整合进Microchip），新设计建议评估替代型号（如Microchip的1N4733A或MMSZ4700系列）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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