Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 4.7V、500mW 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定4.7V基准电压；适用于输入电压波动较小的线性稳压辅助环节。 2. 过压保护（钳位）：与TVS或串联限流电阻配合，用于IC I/O端口、MCU引脚或通信接口（如RS-232、I²C）的瞬态电压钳位，防止反向过压损坏。 3. 电源轨监控与反馈：在简易开关电源或LDO反馈网络中作为分压采样元件，参与输出电压设定与稳压闭环控制。 4. 浪涌抑制与ESD防护辅助：常与陶瓷电容并联，构成低成本EMI滤波/静电泄放路径，提升系统鲁棒性。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗（典型值15Ω）、快速响应（ns级），且SMA封装支持自动化贴片生产，适合消费电子、工业控制板、电源模块及通信设备等对成本、尺寸和可靠性有平衡要求的应用。注意需配合限流电阻使用，避免超功耗（最大500mW）导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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