Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ4.7D10/TR12是一款额定功率3W、标称稳压值为4.7V的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或电源反馈回路中提供稳定参考电压，如线性稳压器（如78Lxx系列）的基准源或开关电源的误差放大器基准。 2. 过压保护（OVP）：与晶闸管（SCR）或可控硅配合构成“撬棍电路”（Crowbar），当输入电压异常升高（如>5.1V）时触发保护，防止后级IC损坏——此为Microsemi器件在工业/通信电源中的典型应用。 3. 浪涌抑制与ESD钳位：在信号线或I/O端口处并联使用，将瞬态电压钳位于4.7V附近，配合TVS或限流电阻，提升系统抗静电和雷击浪涌能力。 4. 低成本稳压需求场合：适用于对精度要求不高（容差±5%）、但需耐受较高脉冲功率（如IEC61000-4-5测试）的嵌入式设备、传感器模块及工业控制板。 注：该器件具有较低动态阻抗与良好温度稳定性，适合-65℃~+175℃宽温工作环境，常见于航空航天、军工及高可靠性工业设备中。实际应用中需注意散热设计（满功率下需适当PCB铜箔面积）及避免长期工作在最大额定电流附近以确保寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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