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- 型号： 3EZ4.3D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.3D/TR12 是一款额定稳压值为4.3V、功率为3W的玻璃封装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 低压直流稳压：在简单电源电路中为基准电压源或小电流负载（如传感器偏置、运放参考端）提供稳定4.3V电压，适用于对精度要求不苛刻、成本敏感的场合。 2. 过压保护与钳位：并联于敏感器件（如MCU I/O口、ADC输入端）前，当瞬态电压超过4.3V时导通泄流，配合限流电阻实现简易ESD或浪涌钳位保护。 3. 电压检测与基准：在电池供电设备（如烟雾报警器、遥控器）中用于低功耗欠压检测电路，配合比较器判断电池是否低于4.3V阈值。 4. 模拟电路偏置：为晶体管放大电路、LED恒流驱动等提供温度特性相对稳定的偏置电压（需注意其±5%容差及-1.7mV/℃温度系数）。 注意事项：该器件为通用型齐纳管，未内置限流电阻，使用时必须外接合适限流电阻以控制工作电流（推荐5–50mA）；不适用于高精度、低温漂或大电流稳压场景。玻璃封装具备一定耐高温能力，但机械强度较低，焊接时需避免热冲击。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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