Datasheet下载- 型号： 3EZ39DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ39DE3/TR12是一款39V、1.3W通孔式齐纳二极管（单齐纳），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定39V基准电压；适用于输入电压波动较大但负载电流较小（≤30mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）钳位：与限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU I/O口、通信接口芯片）免受瞬态高压冲击（如ESD、感应浪涌），将电压钳位在39V左右。 3. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器或开关电源的次级侧反馈电路中，作为误差检测的基准元件（需搭配光耦及TL431等协同工作）。 4. 工业控制与仪器仪表：在PLC模块、数据采集系统中，用于模拟量输入通道的输入电压限幅与ESD防护。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗（典型值约70Ω）、良好温度稳定性（TCV ≈ 0.07%/°C），适合工业级（-65°C ~ +175°C）应用。注意：因功率仅1.3W，不适用于大电流稳压场景；高频噪声抑制能力有限，必要时需并联电容。设计时应确保功耗不超过额定值，并留足散热余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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