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  • 型号: 3EZ39D5E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D5E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ39D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ39D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ39D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为39 V,功率为3 W,采用DO-41封装,带卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括:

- 过压保护与钳位电路:在电源输入端或敏感模拟/数字接口处,用作瞬态电压抑制(TVS)辅助器件,配合TVS或MOV限制异常高压,防止后级IC损坏。

- 基准电压源:在中低精度要求的电源反馈环路(如线性稳压器、DC-DC模块的误差放大器参考端)中,提供稳定39 V基准,适用于工业控制、仪表电源等对成本和温漂要求适中的场合。

- 浪涌吸收与箝位:用于继电器线圈、感性负载关断时的反电动势吸收,防止开关器件(如MOSFET、BJT)被击穿。

- 分立式稳压电路:在小电流(≤70 mA)、非精密场合下,构成简易稳压器,为偏置电路、LED驱动或传感器供电。

需注意:该器件未集成温度补偿,温漂约−0.08%/°C,不适用于高精度或宽温域应用;且为玻璃钝化结构,具备较好可靠性与反向浪涌耐受能力,适合工业及通信设备中对鲁棒性有要求的场景。使用时应确保功耗不超过3 W,并合理设计散热与限流电阻。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 39V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ39D5E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 29.7V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

39V

阻抗(最大值)(Zzt)

28 欧姆

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