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产品简介:
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3EZ39D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为39 V,功率为3 W,采用DO-41封装,带卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括: - 过压保护与钳位电路:在电源输入端或敏感模拟/数字接口处,用作瞬态电压抑制(TVS)辅助器件,配合TVS或MOV限制异常高压,防止后级IC损坏。 - 基准电压源:在中低精度要求的电源反馈环路(如线性稳压器、DC-DC模块的误差放大器参考端)中,提供稳定39 V基准,适用于工业控制、仪表电源等对成本和温漂要求适中的场合。 - 浪涌吸收与箝位:用于继电器线圈、感性负载关断时的反电动势吸收,防止开关器件(如MOSFET、BJT)被击穿。 - 分立式稳压电路:在小电流(≤70 mA)、非精密场合下,构成简易稳压器,为偏置电路、LED驱动或传感器供电。 需注意:该器件未集成温度补偿,温漂约−0.08%/°C,不适用于高精度或宽温域应用;且为玻璃钝化结构,具备较好可靠性与反向浪涌耐受能力,适合工业及通信设备中对鲁棒性有要求的场景。使用时应确保功耗不超过3 W,并合理设计散热与限流电阻。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 39V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 28 欧姆 |