Datasheet下载- 型号： 3EZ39D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ39D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为39V，功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 过压保护与电压钳位：在电源输入端或敏感电路前，用于限制瞬态高压（如ESD、浪涌），将电压钳位在39V附近，保护后级IC或MOSFET等器件。 - 基准电压源：在精度要求不苛刻的模拟电路中（如简易稳压器、比较器参考端），提供稳定39V基准，配合限流电阻使用。 - 浪涌抑制电路：常与TVS或MOV协同用于工业控制、通信设备或电力仪表的初级防护电路，吸收短时能量冲击。 - 反馈稳压电路：在离线式开关电源（如反激变换器）的辅助绕组反馈回路中，为光耦或误差放大器提供固定偏置电压。 该器件具有良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.075%/°C）、低动态阻抗及高可靠性，适用于工业、汽车电子（非安全关键系统）、测试仪器及通用电源模块等中高电压稳压/防护场景。注意需配合合适限流电阻以确保工作在额定功耗内，并避免长期满载导致温升过高。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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