Datasheet下载- 型号： 3EZ39D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ39D/TR12是一款3W、39V稳压值的齐纳二极管（单管），采用DO-41塑料封装，带卷带包装（TR12表示每卷12,000只）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定39V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或仪表。 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棒”（Crowbar）保护电路，当输入电压异常升高（如达39V以上）时触发保护，防止后级DC-DC模块或FPGA供电损坏。 3. 浪涌钳位：在通信接口（如RS-485收发器供电端）或继电器线圈反电动势吸收回路中，作为瞬态电压抑制辅助器件，限制尖峰电压不超过39V，提升系统可靠性。 4. 分立式电源反馈：在非隔离型线性稳压器（如78xx系列扩流电路）或简单开关电源的采样反馈网络中，用于设定输出电压阈值。 需注意：该器件为通用型齐纳管，动态阻抗较高（典型Zzt≈60Ω），温度系数约+0.08%/°C，不适用于高精度或高温变温场景；设计时应确保功耗≤3W（需合理降额，建议长期工作≤2W），并注意散热。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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