Datasheet下载- 型号： 3EZ36DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ36DE3/TR8是一款3.0W、36V齐纳稳压二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为模拟电路、传感器接口或ADC/DAC提供稳定参考电压，适用于中等功率、对精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电轨，配合限流电阻构成简易钳位电路，防止瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏后级器件。 3. 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信设备或汽车电子中，用于吸收感性负载关断时产生的反向电动势（如继电器线圈、电机驱动），保护开关元件（如MOSFET、BJT）。 4. 电源调节辅助电路：在离线式AC-DC适配器或线性稳压器中，作为辅助稳压或反馈环路中的误差检测元件（如TL431替代方案之一，但精度较低）。 该器件具有3W额定功耗、低动态阻抗（典型值约50Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C），适合工作环境温度范围较宽（-65°C ~ +175°C）的工业及车载应用。需注意：实际使用时须严格匹配限流电阻以确保功耗不超限，并建议加装滤波电容提升稳压性能。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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