Datasheet下载- 型号： 3EZ36D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ36D5E3/TR12是一款3.0W、36V齐纳稳压二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电源稳压与基准电压源：在中低功率线性稳压电路中，为IC提供稳定参考电压（如运放偏置、ADC/DAC基准、电源监控电路），适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或仪表。 2. 过压保护（OVP）与钳位电路：并联于敏感器件（如MCU I/O口、通信接口）前端，吸收瞬态浪涌或反向感应电压，防止36V以上过压损坏；常见于继电器驱动、电机控制、开关电源反馈环路保护等场景。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但可与限流电阻配合，构成简易箝位网络，用于抑制低频、能量适中的电压尖峰（如感性负载关断、雷击感应耦合）。 4. 消费电子与工业电源辅助电路：如LED恒流驱动的电压设定、充电器次级侧反馈补偿、PLC模块电源监测等，兼顾可靠性与性价比。 注意：该器件最大功耗3W，需合理设计散热（如PCB铜箔面积）；典型齐纳电流IZT为31mA，动态阻抗约45Ω，适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的通用场合。不推荐用于高精度基准或高频噪声敏感系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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