Datasheet下载- 型号： 3EZ36D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ36D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为36 V，额定功率为3 W（DO-41封装），具有±2%的精密容差（“D”档）、AEC-Q200兼容性及符合RoHS的环保设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源稳压与电压基准：在中低功率线性稳压电路中用作36 V基准源，为传感器、运放或ADC提供稳定参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成浪涌保护电路，当输入电压异常升高至36 V以上时触发钳位或关断保护； 3. 工业控制与通信设备：适用于PLC模块、RS-485接口电源端、基站电源管理等需可靠36 V箝位的场景； 4. 汽车电子辅助系统：因通过AEC-Q200认证，可用于车载LED驱动、BCM（车身控制模块）中的稳压/检测电路（非安全关键路径）； 5. 消费类与工控电源：在AC-DC适配器、继电器驱动电路或电平转换电路中实现简单、低成本的电压箝位与稳压功能。 该器件凭借高可靠性、宽工作温度范围（−65°C 至 +175°C）及稳定击穿特性，适用于对成本敏感且需长期稳定运行的中端工业与汽车后装市场。注意：不推荐用于高精度基准或高频动态负载场景，应配合限流电阻使用以保障寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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