Datasheet下载- 型号： 3EZ36D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ36D10E3/TR12是一款3.6V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带AEC-Q200认证（符合汽车级可靠性标准），并具备±5%电压容差和低动态阻抗特性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定3.6V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于保护敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态浪涌或电源波动影响； 3. 汽车电子系统：凭借AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动中的稳压/钳位电路； 4. 工业控制与电源管理：在DC-DC转换器反馈环路、LDO辅助稳压、电源上电复位（POR）电路中实现精准电压箝位； 5. 消费类电子：用于电池供电设备（如便携式仪表、IoT节点）的电池电压监测与低功耗稳压设计。 该器件具有良好的温度稳定性（齐纳电压温度系数约+2.5mV/°C @ 3.6V）和长期可靠性，适用于对成本、尺寸和可靠性均有要求的中低功率嵌入式系统。注意：实际应用中需确保功耗不超过1W（即Iz ≤ 278mA），并合理布局散热路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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