Datasheet下载- 型号： 3EZ36D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ36D10/TR8是一款36V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±10%电压容差（即标称36V，实际稳压范围约32.4V–39.6V）和低动态阻抗特性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运放偏置等提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或MOSFET配合，构成简易输入级钳位电路，防止后级IC（如MCU、电源管理芯片）因瞬态高压损坏； 3. 电源反馈环路：在非隔离式DC-DC转换器（如反激或Buck衍生拓扑）中，用于辅助绕组稳压或光耦初级侧电压检测； 4. 工业控制接口保护：用于4–20mA电流环、RS-485收发器等接口的ESD/浪涌钳位，限制信号线对地电压； 5. 消费电子待机电源：在小功率适配器或IoT设备的辅助电源中，实现低成本稳压与启动电压设定。 需注意：该器件额定功率仅1W，不适用于大电流稳压；建议在实际设计中预留裕量，避免长期满负荷工作，并配合限流电阻使用以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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