Datasheet下载- 型号： 3EZ36D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ36D/TR8是一款36V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR8表示编带卷盘包装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如ADC参考源、传感器供电）提供稳定36V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或仪表。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、运放）免受瞬态高压冲击，例如在DC输入接口（如24V/48V工业总线）中钳位异常电压至36V。 3. 浪涌抑制与箝位电路：在继电器线圈、电磁阀驱动等感性负载关断时吸收反向电动势，防止开关器件击穿。 4. 电源反馈环路：在低成本开关电源（如反激式辅助绕组稳压）中作为误差检测或初级侧电压采样元件。 需注意：该器件为通用型齐纳管，动态阻抗较高（约70Ω），温度系数约+0.08%/°C，不适用于高精度或低温漂场景；最大功率3W需合理设计散热（PCB铜箔面积或加散热焊盘）。实际应用中应留足电压裕量（如输入最高45V时选用36V型号），并避免长期工作在额定功率极限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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