Datasheet下载- 型号： 3EZ36D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ36D/TR12是一款36V、3W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，带卷带包装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运放、ADC/DAC或微控制器提供稳定参考电压（如36V基准点），适用于工业传感器信号调理电路。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态高压（如雷击感应、开关噪声），保护后级36V系统（如PLC模块、通信接口电路）免受损坏。 3. 电源稳压辅助：在线性稳压器（如78系列）前端或反馈网络中，辅助实现更精确的输出电压设定或温度补偿设计。 4. 浪涌吸收与箝位：用于继电器线圈、感性负载关断时的反向电动势吸收，防止MOSFET/IGBT被击穿。 5. 电池管理系统（BMS）：在高压电池组（如12S锂电，标称43.2V）中作为过压检测阈值元件，触发保护逻辑。 该器件工作结温范围宽（–65°C 至 +175°C），适合工业、汽车电子（非安全关键）、通信设备等对可靠性要求较高的场景。需注意其3W功率需配合适当PCB铜箔散热；TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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