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  • 型号: 3EZ33D2E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ33D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ33D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的型号3EZ33D2E3/TR12是一款33V、1W额定功率的齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,表面贴装/通孔兼容,带AEC-Q200认证(部分批次),具有低动态阻抗和良好温度稳定性。

其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:在低压电源中为ADC参考源、传感器供电或运算放大器偏置电路提供稳定33V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成Crowbar电路,当输入电压异常升高(如达33V以上)时触发短路保护,防止后级IC损坏;  
3. 浪涌钳位:在工业控制、通信接口(如RS-485收发器供电端)或汽车电子模块中,抑制瞬态电压尖峰(如负载突降、ESD感应脉冲),将电压钳位于33V安全水平;  
4. 电源反馈环路:在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器中,作为次级侧稳压反馈路径中的精密电压检测元件(常配合光耦使用);  
5. 汽车与工业环境:得益于Microsemi器件的高可靠性及可选AEC-Q200合规性,适用于车载信息娱乐系统电源管理、车载充电模块及工业PLC I/O保护电路。

注意:该器件最大齐纳电流约30mA(按1W/33V估算),设计时需配合限流电阻,并考虑功耗与温升。实际应用中建议查阅Microchip官方最新数据手册(DS30002697)确认参数与认证状态。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 33V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ33D2E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 25.1V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

33V

阻抗(最大值)(Zzt)

20 欧姆

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