Datasheet下载- 型号： 3EZ33D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ33D10E3/TR8是一款33V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-214AC/SMA封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定33V基准电压，尤其适用于对成本和尺寸敏感的中低功耗系统。 2. 过压保护（OVP）：串联或并联于电源输入端，配合限流电阻，钳位瞬态高压（如ESD、浪涌），保护后级IC（如MCU、FPGA供电轨）免受33V以上电压损坏。 3. 浪涌抑制与箝位电路：在通信接口（RS-485、CAN总线）或工业I/O模块中，作为TVS替代方案（虽非专用TVS，但在低频/缓变过压下具成本优势），吸收感应噪声或开关尖峰。 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激适配器）的光耦反馈路径中，辅助设定输出电压阈值或实现过压锁定（OVL）保护。 需注意：该器件为通用齐纳二极管，非AEC-Q200车规级，不推荐用于高可靠性汽车主系统；工作结温上限为150°C，设计时须考虑PCB散热及降额（如70°C环境温度下建议功率≤0.5W）。TR8表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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