Datasheet下载- 型号： 3EZ30D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ30D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ30D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ30D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ30D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ30D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ30D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单颗齐纳二极管，标称稳压值为30V，额定功率为3W（DO-41封装），具有10%容差（“D”档）及符合AEC-Q200的汽车级可靠性（“E3”后缀代表无卤素、符合JEDEC标准，“TR12”表示卷带包装）。 其典型应用场景包括： 1. 电源稳压与基准电压源：在中低功率线性稳压电路中提供30V参考电压，如工业控制板、传感器供电模块中的电压基准； 2. 过压保护（OVP）与箝位电路：配合TVS或MOSFET用于DC-DC转换器输出端、电机驱动IC电源引脚的瞬态电压箝位，防止30V以上浪涌损坏后级器件； 3. 汽车电子系统：因满足AEC-Q200标准，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动中的稳压/保护环节； 4. 测试与测量设备：作为校准参考或简易稳压单元，用于便携式仪表、数据采集前端的偏置电源。 该器件具备良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.075%/°C）和低动态阻抗，适合对成本敏感且无需极高精度但要求可靠性的中等功率应用。注意需合理设计散热（如PCB铜箔面积）以维持3W连续功耗能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 30V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ30D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 22.5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 16 欧姆 |
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