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产品简介:
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3EZ3.9D5/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的 3.9V、5%容差、0.5W 表面贴装齐纳二极管。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:适用于便携式设备、传感器模块或微控制器外围电路中,为ADC参考源、比较器阈值或偏置电路提供稳定3.9V基准电压。 2. 过压保护与箝位:在I/O接口或信号线(如RS-232、GPIO)中用作瞬态电压抑制辅助器件,配合TVS或限流电阻,将电压箝位在3.9V附近,防止后级IC(如MCU、运放)因异常电压损坏。 3. 电源轨监控与反馈:在低压LDO或DC-DC转换器的反馈分压网络中,替代部分电阻以提升基准精度与温度稳定性(需注意功耗限制)。 4. 低成本模拟电路偏置:用于LED恒流驱动、运算放大器输入偏置、或简单稳压偏置网络,满足对成本敏感且功耗≤500mW的应用。 注:该器件为SOD-123封装,体积小、成本低,但额定功率仅0.5W,不适用于大电流稳压;其±5%容差和相对较高的动态阻抗,使其更适配对精度要求不苛刻的通用场景,而非高精度仪器。设计时需确保实际功耗(P = Vz × Iz)严格低于额定值,并考虑温度降额。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4.5 欧姆 |