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- 型号： 3EZ3.9D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.9D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.9D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.9D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.9D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.9D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.9D/TR8 是一款额定稳压值为3.9V、功率为3W的玻璃钝化齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为比较器、ADC参考源或运算放大器提供稳定3.9V基准电压；适用于输入波动不大、负载较轻的线性稳压辅助电路。 2. 过压保护（钳位）：并联于敏感器件（如MCU I/O口、传感器信号线）前，当瞬态电压超过3.9V（考虑动态阻抗与峰值电流）时导通分流，配合限流电阻实现简易ESD或浪涌防护。 3. 电平转换与信号整形：在数字电路中用于将5V逻辑信号钳位至约3.9V，适配3.3V接口电平（需注意驱动能力与上升/下降时间限制）；亦可用于波形削顶或限幅电路。 4. 低成本电源反馈：在反激或Buck衍生拓扑中，配合光耦用于初级侧稳压反馈环路（需注意温度系数±5.5mV/°C及动态响应限制）。 注：该器件未内置温度补偿，长期精度和温漂性能有限，不适用于高精度基准场合；最大平均功耗3W需保证足够散热（PCB铜箔面积≥25mm²），且脉冲应用须遵守SOA曲线。替代选型建议优先考虑TL431等集成基准方案以提升稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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