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- 型号： 3EZ3.9D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.9D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.9D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.9D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.9D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.9D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.9D/TR12 是一款额定稳压值为3.9V、功率为3W的玻璃钝化齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定3.9V基准电压；适用于线性稳压器的取样/反馈网络或简单并联稳压电路。 - 过压保护与钳位：作为ESD防护或瞬态电压抑制元件，将敏感节点（如MCU I/O口、通信接口RX/TX线）电压钳位于3.9V附近，防止反向过压或浪涌损坏。 - 电平转换与信号限幅：在数字系统中实现3.3V/5V逻辑电平兼容接口，限制输入信号幅值，避免超范围电压进入后级芯片。 - 低成本电源辅助功能：用于LED恒流驱动中的偏置设定、开关电源反馈环路补偿、或电池供电设备的欠压检测阈值设定（配合比较器使用）。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.06%/°C）、低动态阻抗（Zzt ≈ 10Ω @ Izt=76mA）和快速响应特性，适合对精度要求适中、成本敏感且空间受限的工业控制、消费电子及汽车电子（非安全关键部位）等场景。注意需合理设计限流电阻以确保工作在额定功率内，并避免长期满负荷运行影响寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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