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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ3.6D2E3/TR8是一款3.6V、500mW表面贴装齐纳二极管(采用DO-214AC/SMA封装,带卷带包装)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路或传感器供电中,为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定3.6V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位敏感IC(如MCU I/O口、通信接口)的瞬态电压,防止ESD或浪涌损坏; 3. 电源轨箝位:用于3.3V系统中作为“软钳位”器件,吸收轻度电压波动或反向电动势(如继电器线圈关断时); 4. 低成本线性稳压辅助:在LDO前级或后级作简易稳压/去耦,适用于对精度要求不苛刻(容差±5%,即3.42–3.78V)、成本敏感的消费类或工业控制板。 注意:该器件最大功率仅500mW,不适合大电流稳压;其齐纳阻抗较高,动态响应一般,不推荐用于高频或高精度基准场合。实际应用中需校核功耗(P = Vz × Iz),并确保散热条件满足SMA封装的热限制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |