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- 型号： 3EZ3.6D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.6D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.6D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.6D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 3.6V、500mW 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-213AA（Mini-MELF）封装，AEC-Q200 认证，具有高可靠性与稳定温度特性。 典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运放偏置）提供精确的3.6V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于IC电源引脚（如MCU、FPGA I/O口）的箝位保护，防止瞬态过压损坏； 3. 电源轨监控：在3.3V系统中作为欠压/过压检测的阈值元件（结合比较器），实现上电复位（POR）或故障告警； 4. 汽车电子：得益于AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动中的稳压与ESD防护； 5. 工业控制：在PLC输入模块、4–20mA环路供电设备中，用于传感器供电稳压或电流环电压箝位； 6. 便携式设备：因小型化（Mini-MELF）和低功耗特性，适用于电池供电的医疗设备、IoT节点等对尺寸与可靠性要求高的场景。 该器件具有±2%容差（D2等级）、低动态阻抗（约15Ω）及良好的长期稳定性，适合需兼顾精度、体积与可靠性的中低功率应用。注意其额定功率为500mW，设计时需确保实际功耗（P = Vz × Iz）留有裕量，并考虑散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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