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- 型号： 3EZ3.6D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.6D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.6D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.6D2/TR12 是一款额定稳压值为3.6V、功率为3W的玻璃封装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 低压稳压与基准电压源：在小功率线性电源或LDO后级中提供稳定3.6V参考电压，适用于传感器供电、ADC/DAC基准、微控制器复位电路等对精度和温漂要求适中的场合。 - 过压保护与钳位：并联于敏感器件（如MCU I/O口、通信接口）前端，当瞬态电压超过3.6V时导通分流，配合限流电阻实现简易ESD或浪涌钳位保护（需注意其3W功率限制，适用于低能量脉冲）。 - 电压检测与阈值设定：在电池电量监测（如3.7V锂电系统）、电源上电复位（POR）或窗口比较器中作为固定阈值检测元件。 - 低成本模拟电路：用于简单稳压LED驱动、偏置电路或波形整形（如削波电路），尤其适合对成本敏感、空间受限且无需高精度/低温漂的消费类电子、家电控制板、LED照明驱动模块等。 注意事项：该器件为通用型齐纳管，动态阻抗与温度系数（约−1.5mV/°C）高于精密基准源，不适用于高精度或宽温域场景；使用时需确保功耗不超过3W，并留足散热余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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