图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D10/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ3.6D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ3.6D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ3.6D10/TR8是一款3.6V、500mW表面贴装齐纳二极管(DO-214AC/SMA封装),具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路)中提供稳定3.6V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,用于USB接口、I/O端口或微控制器电源引脚的瞬态箝位,防止3.3V系统因浪涌超压损坏; 3. 电平转换与箝位:在数字逻辑接口中限制信号摆幅(如将5V信号安全转换至3.3V MCU输入),避免输入引脚过压; 4. 电源监控与复位电路:配合比较器构成简易电源欠压检测电路,保障系统上电/掉电时可靠复位; 5. 消费电子与工业控制:广泛应用于机顶盒、智能电表、PLC模块、LED驱动等对成本与可靠性敏感的中低功率设备。 该器件具备良好的温度稳定性(TC ≈ ±0.05%/°C)和快速响应能力,适合空间受限且无需高精度(如±1%)的通用稳压需求。注意其额定功率为500mW,设计时需确保功耗不超过P = Vz × Iz,并留有足够降额余量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |