Datasheet下载- 型号： 3EZ27DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ27DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ27DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ27DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ27DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ27DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ27DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为27 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用无铅、符合RoHS的TR12卷带包装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为参考电路（如ADC/DAC基准、比较器阈值设定）提供稳定27 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成浪涌保护电路，当输入电压异常升高至27 V左右时触发钳位或关断； 3. 电源反馈环路：用于离线式开关电源（如反激变换器）的次级侧稳压反馈，辅助TL431等器件实现精确输出调节； 4. 接口电平箝位：在工业I/O、传感器信号调理电路中限制瞬态电压，防止后级MCU或模拟前端（AFE）受高压损坏； 5. 电池管理系统（BMS）：用于多节串联锂电组的单体电压监测或均衡电路中的分压/限幅环节。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.06%/°C）、低动态阻抗（约35 Ω @ IZ = 25 mA）及快速响应特性，适用于对可靠性要求较高的工业控制、通信设备、仪器仪表和汽车电子（非安全关键系统）等领域。需注意合理设计散热及限流电阻，确保工作电流在额定范围内（推荐IZ ≥ 5 mA以保证稳压精度）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 27V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ27DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 20.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 27V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
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