Datasheet下载- 型号： 3EZ27D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ27D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ27D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ27D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ27D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ27D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ27D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为27V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电源稳压与基准电压源：在中低功率线性稳压电路中，为运算放大器、ADC/DAC 或微控制器提供稳定的27V参考电压； 2. 过压保护（OVP）钳位：并联于敏感电路输入端，当瞬态电压超过27V时导通分流，配合限流电阻实现简单可靠的过压箝位保护； 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：常与TVS或压敏电阻协同使用，提升27V级接口（如工业传感器供电、RS-485总线电源侧）的浪涌耐受能力； 4. 反馈回路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为稳压基准参与电压采样与误差调节； 5. 模拟电路偏置：为高压运放、光电隔离器或真空荧光屏（VFD）驱动电路提供精确偏置电压。 该器件适用于工业控制、通信设备、仪器仪表及汽车电子（非安全关键系统）等对成本、可靠性与中等精度要求兼顾的场景。需注意：实际应用中应严格匹配功耗（P = Vz × Iz），并确保散热条件满足3W连续耗散要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 27V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ27D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 20.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 27V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
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