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  • 型号: 3EZ27D10/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ27D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ27D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ27D10/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ27D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ27D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ27D10/TR8是一款27V、1W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,带AEC-Q200兼容选项(TR8表示卷带包装)。其主要应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:为精密模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源)提供稳定27V基准电压,适用于工业控制、测试设备中对温度稳定性要求较高的场合(典型Zener阻抗低,温度系数约±5mV/°C)。

2. 过压保护(OVP):在电源输入端并联使用,钳位瞬态高压(如汽车电子中的负载突降、继电器开关浪涌),配合TVS或保险丝实现二级防护,常见于车载充电模块、ECU供电电路。

3. 电平转换与箝位:在数字接口(如CAN总线、RS-485收发器)中限制信号摆幅,防止后级IC过压损坏;亦用于运算放大器输出限幅电路。

4. 消费与工业电源:在离线式AC-DC适配器、LED驱动电源中作为辅助绕组稳压反馈元件,或为PWM控制器提供精确偏置电压。

该器件具备高可靠性(符合JESD22-A108高温寿命标准)、低漏电流(IR < 5μA @ 20.3V)及良好热性能(RθJA ≈ 150°C/W),适合宽温环境(-65°C~+175°C)工作。注意:实际应用需确保功耗不超过1W(建议降额至0.5W以上),并合理布局散热路径。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 27V 10% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ27D10/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 20.6V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±10%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

27V

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

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