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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20D5/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ20D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ20D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ20D5/TR12是一款20V、3W通孔式齐纳二极管(单齐纳),采用DO-41封装,带卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路)提供稳定20V基准电压,适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或电源监控模块。 2. 过压保护(OVP):常与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级IC(如MCU、通信接口芯片)免受瞬态过压冲击,例如在24V工业总线(如CAN、RS-485)供电端作钳位元件。 3. 电源反馈环路:在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器(如反激拓扑)中,作为光耦反馈回路的基准源,配合TL431等器件实现输出电压精密调节。 4. 浪涌吸收与箝位:在继电器线圈、电机驱动感性负载两端,用作续流/箝位二极管,抑制关断时产生的反向高压尖峰(需注意其3W功率能力适合中小能量场合)。 该器件具有良好的温度稳定性(齐纳电压温度系数约+0.07%/°C)和可靠的老化特性,广泛应用于工业自动化、通信设备、仪器仪表及汽车电子(非安全关键系统)等领域。需注意:实际应用中应留足功率裕量(建议≤2W持续功耗),并确保散热条件满足DO-41封装的热阻要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 20V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 7 欧姆 |