Datasheet下载- 型号： 3EZ20D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ20D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ20D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ20D2E3/TR8是一款20V、1W额定功率的齐纳二极管（单齐纳），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定20V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的场合。 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用于保护后级IC（如运放、MCU I/O口）免受瞬态过压冲击，常见于工业控制板、电源输入端的初级钳位。 3. 浪涌抑制与箝位：在继电器线圈续流、电感负载开关等场景中，用作反向电动势吸收器件，防止电压尖峰损坏驱动晶体管。 4. 电源反馈环路：在简易线性稳压器或隔离式DC-DC模块的反馈网络中，作为分压采样基准点，辅助实现输出电压调节。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（典型值约22Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07%/°C），适合工作温度范围-65°C至+175°C的严苛环境，广泛应用于工业自动化、通信电源、汽车电子（非安全关键系统）及航空航天配套设备中。注意：需合理设计散热与功耗，避免长期满载运行以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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