Datasheet下载- 型号： 3EZ20D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ20D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ20D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ20D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为20V，额定功率为3W，DO-41封装，AEC-Q200认证（适用于汽车级应用），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电源电压钳位与过压保护：在DC-DC转换器、LDO稳压器输出端或敏感IC（如MCU、传感器）供电路径中，用作瞬态电压抑制（TVS辅助）或精密钳位，防止浪涌或反向电压损坏后级电路。 2. 基准电压源：配合限流电阻构成简易20V基准，在工业控制、仪表电路中为ADC、比较器或运放提供稳定参考电压（需注意温漂和电流精度）。 3. 汽车电子系统：得益于AEC-Q200认证，广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动电路中的稳压/反馈环节。 4. 消费类与工业电源：在适配器、充电器、电机驱动板等设备中，用于反馈环路稳压（如光耦初级侧稳压）、电压检测阈值设定或浪涌吸收缓冲。 该器件强调高可靠性与一致性，适用于对长期稳定性、高温性能（工作结温达+175°C）及ESD鲁棒性有要求的场景，但不适用于高频或大电流动态调节场合。设计时需严格匹配测试电流IZ（通常5mA）以确保稳压精度，并注意散热（尤其在3W满载时）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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