Datasheet下载- 型号： 3EZ20D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ20D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ20D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ20D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的一款单齐纳二极管，标称齐纳电压为20V，额定功率为3W（DO-41封装），采用TR12卷带包装，适用于自动化贴片生产。 该器件主要应用于中等功率的电压基准与过压保护场景： - 稳压与参考电压源：在电源适配器、工业控制板或传感器供电电路中，为运放、ADC或微控制器提供稳定20V基准电压； - 过压钳位/浪涌抑制：配合TVS或限流电阻，用于保护后级敏感电路（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态高压（如EFT、感应开关噪声）损害； - 简单线性稳压辅助电路：在低压差、小电流场合（如+24V系统中生成20V偏置）作为低成本稳压元件； - 反馈环路中的电压检测点：在开关电源次级侧用于采样和误差放大，提升输出精度。 需注意：其最大稳定功耗为3W，实际应用中须根据环境温度及散热条件降额使用（如Tₐ=70℃时建议≤2W），并确保动态功耗不超过额定值以避免热失效。不适用于高频或高精度基准（温漂约±5.5mV/℃，典型Zzt≈30Ω），对精度要求高的场合建议选用带温度补偿的基准IC。 综上，3EZ20D10/TR12 适用于成本敏感、中等可靠性要求的工业电源、电机驱动、仪器仪表及消费类电子中的基础稳压与防护设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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