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- 型号： 3EZ200D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D5E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 200V、1.3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装。其核心应用场景是高电压稳压与过压保护。 典型应用包括： - 电源稳压电路：在工业控制、通信设备或仪器仪表的辅助电源中，为基准电压源或误差放大器提供稳定的200V参考电压（需配合限流电阻使用）； - 过压钳位/浪涌抑制：用于保护后级敏感器件（如MCU、ADC、光耦输入端）免受瞬态高压冲击，例如在继电器线圈续流、感性负载开关、RS-485总线接口等场景中吸收反向电动势或ESD/EFT能量； - 电压检测与箝位电路：在高压电池管理系统（BMS）或PFC电路中，作为过压阈值检测元件，触发保护逻辑； - 替代传统插件式高压齐纳管：在空间受限、需自动化贴片生产的消费电子或LED驱动电源中，实现小型化与高可靠性设计。 需注意：该器件额定功率1.3W，实际使用时须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保温升可控；推荐工作电流为5–10mA以兼顾稳定性和寿命；DO-214AC封装支持回流焊，但热设计需考虑PCB铜箔散热能力。不适用于高频或大电流动态调节场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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