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- 型号： 3EZ200D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D5/TR12 是一款额定稳压值为200V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：适用于需200V高精度稳压的模拟电路或电源反馈回路，如工业开关电源、CCFL背光驱动、激光驱动器中的参考电压设定。 - 过压保护（OVP）与钳位电路：在高压瞬态抑制中作为并联型钳位器件，保护后级敏感元件（如MOSFET栅极、运放输入端）免受浪涌或反向感应电压损坏，常见于继电器/电机驱动、电感负载切换电路。 - 浪涌吸收与电压箝位：配合TVS或RC网络用于AC线路保护、电表防雷模块或高压传感器接口，限制异常电压至200V安全阈值。 - 高压偏置与分压网络：在高压放大器、光电倍增管（PMT）供电、X射线探测电路中提供稳定偏置点。 注意：该器件最大耗散功率为3W，需确保实际功耗（Vz × Iz）不超过限值，并合理设计散热（如PCB铜箔面积或加装散热片）；其动态阻抗较高（典型值约1kΩ@1mA），不适用于高精度低噪声基准场合；建议工作电流控制在1–10mA以兼顾稳定性与寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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