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产品简介:
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3EZ200D2/TR8 是一款额定稳压值为200V、功率为3W的单齐纳二极管(Zener Diode),采用DO-41封装,带卷带编带(TR8)包装。其主要应用场景包括: - 高压稳压与基准源:适用于需要高精度、高稳定200V参考电压的电路,如工业电源反馈回路、高压DC-DC转换器的电压基准或过压保护阈值设定。 - 过压保护(OVP)与浪涌钳位:在电源输入端或敏感电路前级,用作瞬态电压抑制(TVS功能有限,需注意其响应速度和能量耐受能力),配合限流电阻对200V左右的异常电压进行钳位,防止后级器件损坏。 - 高压偏置与电平设置:在高压模拟电路(如光电倍增管供电、CCD偏置、高压运放偏置网络)中提供稳定偏置点。 - 测试与校准设备:作为可复现的200V基准,用于仪器仪表的高压校准模块。 注意事项:该器件为通用齐纳管,非TVS专用,不适用于高频/大能量ESD防护;使用时须严格匹配限流电阻以确保功耗≤3W,并注意散热;长期工作建议降额至2.1–2.4W以提高可靠性。典型应用温度范围为-65℃~+200℃,适合工业及部分汽车电子(需符合AEC-Q200认证版本,本型号标准版未标注,实际选用需确认规格书)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 200V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 875 欧姆 |