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- 型号： 3EZ200D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D2/TR12 是一款额定稳压值为200V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准源：适用于需200V高精度稳压或电压基准的电路，如工业电源的次级稳压、高压DC-DC转换器的反馈基准、精密仪器的参考电压源。 - 过压保护（OVP）与钳位电路：常用于开关电源、电机驱动或通信接口中，作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合TVS或RC吸收网络，钳位异常高压（如浪涌、感应尖峰），保护后级MOSFET、IC等敏感元件。 - 高压偏置与分压调节：在高压模拟电路（如光电倍增管、CCD偏置电源、X射线探测器供电）中，提供稳定偏置电压或构成高阻抗分压反馈网络。 - 简单稳压电源：适用于小电流（≤15mA）、低成本、非隔离型高压稳压场合，如仪表显示模块、传感器供电（需外接限流电阻）。 注意：该器件为普通齐纳管，非低噪声/低温漂型号，不适用于高精度或温度敏感场景；使用时须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保散热充分，并串联合适限流电阻以防热击穿。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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