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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ200D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D10E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 200V、1.3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。 其主要应用场景包括： ✅ 高压稳压与基准源：适用于需200V高稳定参考电压的电源反馈回路、工业传感器信号调理电路或精密ADC/DAC基准分压网络。 ✅ 过压保护（OVP）：常用于开关电源、LED驱动器或电池管理系统中，作为钳位元件，防止瞬态高压（如浪涌、反电动势）损坏后级IC或MOSFET。 ✅ 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、电机驱动或电感负载关断时，配合TVS或RC网络实现能量泄放与电压限制。 ✅ 工业与汽车电子：符合AEC-Q200可靠性标准（TR12为卷带包装），适用于车载充电模块、车载照明控制、PLC输入保护等对耐压与长期稳定性要求较高的场景。 注意：该器件额定功率为1.3W（脉冲可更高），设计时需确保PCB散热良好；实际工作电流建议控制在≤6.5mA（以维持温升与精度），典型测试电流为1mA。不适用于高频或大电流稳压场合，应避免持续满功率运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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