Datasheet下载- 型号： 3EZ19DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ19DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ19DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ19DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 19V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运放偏置）提供稳定19V基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤150mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、接口芯片）免受瞬态过压冲击，尤其适用于12–24V工业控制总线的钳位防护。 3. 浪涌抑制与箝位：在继电器线圈、感性负载关断回路中，作为续流/箝位元件，吸收反向电动势，防止开关器件（如MOSFET、光耦驱动器）击穿。 4. 电源反馈环路：在隔离式DC-DC变换器（如反激拓扑）的次级侧，与光耦配合构成电压反馈网络，实现输出电压精度调节（需注意温度系数及动态响应限制）。 注：该器件为通用型齐纳管，非高精度基准（初始容差±5%，温度系数约−1.5 mV/°C），不适用于高精度或宽温域基准应用；设计时需确保功耗不超过3W，并留足散热余量。因其已停产（Microsemi被收购后逐步整合型号），新设计建议评估Microchip同规格替代料（如MMSZ5247B等）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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