Datasheet下载- 型号： 3EZ19D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ19D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ19D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ19D5/TR12是一款19V、1.3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12表示编带卷装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如ADC参考源、传感器供电）提供稳定19V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的场合。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、运放）免受瞬态过压冲击，常见于工业控制板、通信接口（RS-485收发器供电端）等。 3. 浪涌钳位与箝位电路：在开关电源反馈环路、继电器驱动或电机驱动电路中，用于限制感应电压尖峰，防止器件击穿。 4. LED恒流偏置与电流设定：在简易恒流源设计中，利用齐纳特性设定基准电压以控制电流检测电阻压降。 5. 消费电子与嵌入式系统：如机顶盒、打印机主控板、智能电表等需可靠、成熟、高性价比稳压方案的中低端应用。 该器件具有±5%电压容差、典型动态阻抗约20Ω、反向漏电流低（≤5μA@15.2V），适合工作温度范围-65℃~+175℃的严苛环境。虽非高精度基准，但凭借Microsemi的高可靠性及长期供货能力，在工业和汽车后装市场仍有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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