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  • 型号: 3EZ19D2E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ19D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ19D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ19D2E3/TR12是一款19V、1.3W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源)中提供稳定19V基准电压;  
2. 过压保护:与TVS或限流电阻配合,用于电源输入端或敏感IC引脚的钳位保护,防止瞬态过压损坏;  
3. 电源反馈环路:在小功率开关电源(如AC-DC适配器、LED驱动器)的光耦反馈路径中,辅助设定输出电压;  
4. 电平转换与箝位:在数字接口或运放电路中限制信号幅值,防止超出器件额定输入范围;  
5. 工业控制与通信设备:适用于PLC模块、RS-485收发器供电轨稳压等对可靠性要求较高的场景。

该器件具备AEC-Q200兼容性(部分批次)、宽工作温度范围(–65°C至+175°C)及高浪涌承受能力(最大5A,8.3ms),适合工业、汽车电子及严苛环境应用。TR12表示卷带包装(12mm载带),便于自动化贴片生产。需注意其功耗限制,建议在散热良好的PCB布局下使用,并避免长期满负荷工作以保障寿命与稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 19V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ19D2E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 14.4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

19V

阻抗(最大值)(Zzt)

7 欧姆

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