Datasheet下载- 型号： 3EZ19D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ19D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ19D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ19D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为19 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR8卷带包装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中，为运算放大器、ADC/DAC 或传感器提供稳定参考电压；适用于输入电压波动较大但负载电流较小（通常＜50 mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）钳位：与TVS或串联限流电阻配合，用于电源输入端或信号线的瞬态电压抑制，防止后级IC（如MCU、接口芯片）因浪涌或反接而损坏。 3. 电平转换与箝位电路：在数字逻辑接口（如RS-232、工业I/O）中，将信号峰值限制在19 V安全范围内，避免超出器件耐压。 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激拓扑）的初级侧反馈电路中，辅助构建简单稳压检测点（需搭配光耦及分压网络）。 5. 工业与汽车电子辅助电路：适用于12 V/24 V系统中的板载稳压、传感器供电调理等非主电源场景（注意：该器件无AEC-Q200认证，不建议用于严苛车载动力系统）。 需注意：3EZ19D2/TR8 为通用型齐纳管，温度系数约+4.5 mV/°C（典型值），长期稳定性与精密基准芯片（如TL431）存在差距，故不适用于高精度测量或温漂敏感应用。设计时应校核功耗（P = Vz × Iz）、散热条件及动态阻抗影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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